DPC技术的核心优势在于其精细线路布线能力与实心铜通孔填充，这带来了更优的电气性能与设计灵活性。同时，作为一种经济高效的解决方案，DPC工艺在实现更薄金属化层方面具备高度灵活的制造能力，特别适合对尺寸和成本有严苛要求的应用。
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直接镀铜陶瓷基板，特别是采用氮化铝陶瓷的DPC基板，是应对上述挑战的理想方案。它并非简单的承载板，而是一个主动提升VCSEL性能的系统性解决方案
采用先进的薄膜电路工艺（磁控溅射与电镀相结合），在高导热陶瓷基板上构建高精度二维线路与TCV垂直互连，并通过堆叠技术形成一体化3D金属框架。其铜/金层厚度可在1μm至1mm间灵活定制，并实现0.05mm的极小线距，为芯片级封装提供卓越的互连解决方案
在陶瓷基板金属化领域，直接镀铜（DPC）技术因其卓越的高线路精度（线宽/线距≤50μm）、优异的导热性（如氮化铝基板热导率≥170W/mK）及低温制程特性（<300℃），已成为大功率半导体封装的首选方案
本文提出基于直接镀铜（DPC）技术的陶瓷基板制造新工艺，重点攻克大功率LED散热通孔的高可靠性填充难题。
薄膜电路陶瓷封装基板采用磁控溅射薄膜沉积结合电镀增厚技术制造。该工艺首先在高导热陶瓷基体表面进行薄膜金属化，并通过影像转移技术精确形成2D金属线路。
