以英伟达新一代Rubin(R200)AI芯片为例,其单颗功耗可达2850W,已突破传统HDI印制电路板2000W的散热承载极限。传统FR-4有机基板因材料性能受限,在此背景下,具备超高导热性能、优异结构稳定性及高精度布线能力的DPC(直接镀铜)陶瓷基板,
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以英伟达新一代Rubin(R200)AI芯片为例,其单颗功耗可达2850W,已突破传统HDI印制电路板2000W的散热承载极限。传统FR-4有机基板因材料性能受限,在此背景下,具备超高导热性能、优异结构稳定性及高精度布线能力的DPC(直接镀铜)陶瓷基板,
DPC(直接镀铜)陶瓷基板是在陶瓷薄膜工艺基础上发展起来的一种先进电路加工技术。该技术以氮化铝或氧化铝陶瓷作为基板,通过溅镀工艺在表面复合金属层,并利用电镀与光刻工艺形成精密电路。与传统工艺相比,DPC技术具备线路精度高、导热性能好、可制作微孔及盲孔等优势
DPC技术的核心优势在于其精细线路布线能力与实心铜通孔填充,这带来了更优的电气性能与设计灵活性。同时,作为一种经济高效的解决方案,DPC工艺在实现更薄金属化层方面具备高度灵活的制造能力,特别适合对尺寸和成本有严苛要求的应用。
直接镀铜陶瓷基板,特别是采用氮化铝陶瓷的DPC基板,是应对上述挑战的理想方案。它并非简单的承载板,而是一个主动提升VCSEL性能的系统性解决方案
采用先进的薄膜电路工艺(磁控溅射与电镀相结合),在高导热陶瓷基板上构建高精度二维线路与TCV垂直互连,并通过堆叠技术形成一体化3D金属框架。其铜/金层厚度可在1μm至1mm间灵活定制,并实现0.05mm的极小线距,为芯片级封装提供卓越的互连解决方案
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