氮化铝多层高温共烧陶瓷(HTCC)基板以其卓越的散热性能(热导率较LTCC基板高约两个数量级)、与芯片匹配的热膨胀系数及低介电损耗,成为高功率应用的理想选择。
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氮化铝多层高温共烧陶瓷(HTCC)基板以其卓越的散热性能(热导率较LTCC基板高约两个数量级)、与芯片匹配的热膨胀系数及低介电损耗,成为高功率应用的理想选择。
在陶瓷基板金属化领域,直接镀铜(DPC)技术因其卓越的高线路精度(线宽/线距≤50μm)、优异的导热性(如氮化铝基板热导率≥170W/mK)及低温制程特性(<300℃),已成为大功率半导体封装的首选方案
本文提出基于直接镀铜(DPC)技术的陶瓷基板制造新工艺,重点攻克大功率LED散热通孔的高可靠性填充难题。
薄膜电路陶瓷封装基板采用磁控溅射薄膜沉积结合电镀增厚技术制造。该工艺首先在高导热陶瓷基体表面进行薄膜金属化,并通过影像转移技术精确形成2D金属线路。
热导率(Thermal Conductivity,符号 k 或 λ)是表征材料自身导热能力的本征物理量,定义为:在单位温度梯度下,单位时间内通过材料单位面积的热量。其国际单位为 瓦特每米每开尔文(W/(m·K))。
陶瓷覆铜基板 (Ceramic Copper-Clad Substrate) 是一种在陶瓷基片上通过特定工艺键合铜板的复合金属陶瓷材料。它融合了陶瓷优异的绝缘性、热稳定性和低热膨胀系数,以及金属铜的高导电、导热性能,同时具备良好的力学性能和易于装配的特点。
热导率是描述物质传递热量能力的物理量。它表示单位时间内,单位面积上的热量传递量与温度梯度之比。热导率越大,物质对热量的传递能力越强。陶瓷基板的导热率指的是陶瓷基板材料传导热量的能力,通常用热导率(W/mK)来表示。
陶瓷基板根据其制造工艺可以分为直接电镀铜( DPC)、直接键合铜(DBC)、活性金属焊接(,AMB)、低温共烧陶瓷(LTCC)和高温共烧陶瓷(HTCC)等。
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