氮化硅陶瓷基板相关的文章

思特威亮相Vision China 2026，高端成像技术赋能智视升级

思特威推出全新1200万像素AI眼镜应用CMOS图像传感器

氮化硅陶瓷基板在模块中通常作为承载与散热基板，直接支撑IGBT或二极管芯片，并与铜电路或金属化层紧密结合，构成“绝缘且高导热”的核心结构，从而保障电驱动系统在高功率密度及严苛工况下的稳定运行。

氮化硅AMB覆铜基板（Si₃N₄-AMB-Cu）凭借其高强度、高韧性、优异的耐热性及卓越的综合可靠性 。Si₃N₄-AMB-Cu不仅散热能力与AlN相当，在-40～250℃的热循环测试中，铜层为0.15 mm的Si₃N₄-AMB-Cu在1000次循环后仍完好无损。

思特威推出物联网系列2.6MP和6MP高性能图像传感器

化硅陶瓷基板的卓越性能根植于其独特的微观结构。其内部以β-Si₃N₄晶相为主，互锁的长柱状晶粒交织成坚固的蜂窝状三维网络，这是其同时获得超高机械强度和出色抗热震性的根本原因。通过高温烧结工艺，赋予了材料优异的导热性、高强度、卓越的耐热性及耐化学腐蚀性。

Si₃N₄ 陶瓷基板必须采用活性金属钎焊 (AMB) 技术。 AMB 工艺利用 Ti、Zr 等活性金属元素（通常作为钎料成分）能润湿 Si₃N₄ 陶瓷表面的特性。在真空或惰性气氛中高温钎焊时，活性金属与陶瓷发生反应形成牢固界面层，从而将铜层可靠地键合在 Si₃N₄ 陶瓷基板上。

思特威推出智能安防应用4MP近红外增强图像传感器新品

思特威推出50MP 1英寸超高动态范围旗舰手机应用CMOS图像传感器

氮化硅陶瓷基板的核心结构由β相氮化硅（β-Si₃N₄）晶体主导。其微观特征表现为长柱状晶粒相互交织，形成类似“互锁网络”的三维强化骨架。