
化硅陶瓷基板的卓越性能根植于其独特的微观结构。其内部以β-Si₃N₄晶相为主,互锁的长柱状晶粒交织成坚固的蜂窝状三维网络,这是其同时获得超高机械强度和出色抗热震性的根本原因。通过高温烧结工艺,赋予了材料优异的导热性、高强度、卓越的耐热性及耐化学腐蚀性。
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化硅陶瓷基板的卓越性能根植于其独特的微观结构。其内部以β-Si₃N₄晶相为主,互锁的长柱状晶粒交织成坚固的蜂窝状三维网络,这是其同时获得超高机械强度和出色抗热震性的根本原因。通过高温烧结工艺,赋予了材料优异的导热性、高强度、卓越的耐热性及耐化学腐蚀性。
Si₃N₄ 陶瓷基板必须采用活性金属钎焊 (AMB) 技术。 AMB 工艺利用 Ti、Zr 等活性金属元素(通常作为钎料成分)能润湿 Si₃N₄ 陶瓷表面的特性。在真空或惰性气氛中高温钎焊时,活性金属与陶瓷发生反应形成牢固界面层,从而将铜层可靠地键合在 Si₃N₄ 陶瓷基板上。
氮化硅陶瓷基板的核心结构由β相氮化硅(β-Si₃N₄)晶体主导。其微观特征表现为长柱状晶粒相互交织,形成类似“互锁网络”的三维强化骨架。