日月光小芯片互连技术取得新突破

　　日月光投控（ASX-US）宣布其VIPack平台的先进互连技术取得了新的突破，通过微凸块技术将芯片与晶圆之间的间距从40um提升到20um。这一进展将满足人工智能应用中对多样化小芯片整合的不断增长需求。

　　该先进互连解决方案对于实现新一代的垂直整合，例如日月光VIPack平台的2.5D和3D封装以及2D并排解决方案至关重要。随着小芯片设计方法的发展，日月光的先进互连技术为设计人员提供了创新的高密度小芯片整合选项。微凸块技术的进步将间距从40um减少到20um，进一步促进了硅与硅之间的互连能力，有助于推动更多的开发活动并进一步缩小间距。


　　在日月光推出的这种微间距互连技术下，小芯片或IP区块之间的连接变得更加紧密，为系统单芯片（SoC）的小芯片或IP区块解构提供了更多可能性。此举将帮助实现3D整合以及更高密度的高IO内存，对于人工智能等高阶应用以及手机应用处理器（mobile AP）、微控制器等其他关键产品都具有重要意义。

　　日月光集团研发处长李长祺表示，随着人工智能时代的到来，对于更先进互连技术的需求正在不断增长。新的微间距互连技术突破了小芯片整合的障碍，有助于提高可靠性和优化性能，满足了小芯片整合需求。

　　日月光工程与技术营销资深处长Mark Gerber表示，先进的互连技术可以解决性能、功耗和延迟方面的挑战，为客户提供了令人信服的选择，有助于提高整体性能、实现可扩展性和功耗优势。

　　日月光销售与营销资深副总Yin Chang表示，VIPack平台通过创新的互连技术延续动能，与客户一起探索每一个半导体设计和系统解决方案的新性能和可持续效率。

　　日月光VIPack作为一个持续扩展的平台，拥有优化的协作设计工具，可系统地提升先进封装架构。

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