首颗硅基混合架构闪存芯片成功研发，诞生了

　　9日从复旦大学获悉，该校集成芯片与系统全国重点实验室、集成电路与微纳电子创新学院周鹏-刘春森团队研发出全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片，代号“长缨CY-01”，解决了存储速率的技术难题。相关研究成果8日发表于国际学术期刊《自然》。

　　若将“破晓”器件视为打开下一代存储大门的“钥匙”，此次混合架构芯片则是建成的“第一座桥梁”——它首次将二维超快存储技术与成熟硅基CMOS工艺深度融合，标志着我国在新型存储领域从基础研究迈入工程化应用阶段，为解决AI时代“算力与存储速度错配”难题提供了切实可行的方案

　　传统存储技术长期陷入“速度-功耗-集成度”的三角困境：易失性存储器（如DDR）速度达1-30纳秒却断电丢数据，传统闪存（Flash）非易失却速度落后芯片算力10万倍以上。二维半导体材料的出现带来转机，但将其与现有CMOS工艺结合堪称“在微缩城市铺蝉翼”——CMOS电路表面微观起伏如“高楼平地”，而二维材料仅1-3个原子厚，直接铺设极易破裂

　　这是复旦大学继“破晓（PoX）”皮秒闪存器件问世后，在二维电子器件工程化道路上的又一次里程碑式突破。

　　这一成果将二维超快闪存与成熟互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺深度融合，攻克了二维信息器件工程化的关键难题，率先实现全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片的研发。产业界相关人士认为，这种芯片可突破闪存本身在速度、功耗、集成度上的平衡限制，未来或可在3D应用层面带来更大市场机会。"破晓"与"长缨"，它既象征着存储技术的曙光，更手握打破算力瓶颈的关键力量。

　　这一成果将二维超快闪存与成熟CMOS的工艺深度融合，攻克了二维信息器件工程化的关键难题，率先实现全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片的研发。产业界相关人士认为，这种芯片可突破闪存本身在速度、功耗、集成度上的平衡限制，未来或可在3D应用层面带来更大市场机会。

　　这是中国集成电路领域的‘源技术’。展望二维-硅基混合架构闪存芯片的未来，团队期待该技术颠覆传统存储器体系，让通用型存储器取代多级分层存储架构，为人工智能、大数据等前沿领域提供更高速、更低能耗的数据支撑，让二维闪存成为AI时代的标准存储方案。

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