三星HBM4样品已通过英伟达测试，预生产

　　据报道，三星上月提供给英伟达的HBM4样品已通过初期测试和质量测试，将在本月底进入“预生产”阶段。“预生产”是指半导体芯片量产前实施的最终验证阶段，需要测试其与客户GPU产品的兼容性，以及在特定温度下能否满足高质量标准。

　　报道称，HBM4芯片将被应用在英伟达的下一代AI加速器“Rubin”中。目前英伟达HBM芯片的独家供应商是SK海力士，其在今年3月已交付HBM4样品，并于6月初提供初期量产品，计划在10月进入大规模量产。如果三星能顺利通过预生产阶段，他们的HBM4芯片在11月就能开始量产，从而迅速缩小与SK海力士之间的差距。同时业内人士预测，大概目测8月底三星的HBM3E 12层产品也将通过英伟达的质量测试并开始供货。业内人士认为三星这边的顺利进展促使了英伟达有底气向SK海力士谈判HBM供货量和芯片价格。如果三星顺利向英伟达供应HBM4和HBM3E，则明年的AI存储芯片市场可能发生巨大变化，产业预测，三星明年的HBM销售额可能会有倍数级增长。

　　显然在技术验证方面，HBM4实现了三大核心突破：1）采用改良型TSV架构达成12层DRAM堆叠，带宽较HBM3E提升40%至1.2TB/s，同步实现14ns的存取延迟（降幅达18%）；2）创新性应用20μm间距混合键合技术，使互连密度提升至业界领先的50万微凸点/平方毫米，支撑8-Hi堆叠98.2%的良品率；3）通过动态电压频率调整（DVFS）与新型ECC算法协同，在英伟达A100测试平台上达成15.3TOPS/W的能效比（提升35%），4K渲染任务中显存功耗下降至7.2W/mm²。特别值得关注的是，在-40℃~125℃的军工级温度循环测试中，HBM4持续72小时维持1E-18的不可纠正错误率，远超JEDEC标准要求。

　　量产规划方面，三星制定了详细的三阶段实施路线图：第一阶段计划于2025年第四季度完成每月5万片的晶圆级封装技术验证，重点测试封装良率和可靠性指标；第二阶段将在2026年第一季度实现混合键合工艺的稳定生产，确保关键参数CPK值达到1.67以上的行业高标准；第三阶段预计在2026年第三季度完成产能爬坡，最终实现每月20万片的规模化量产目标。为确保供应链安全，三星已与关键设备供应商ASML签订长期协议，锁定TWINSCAN NXE:3600D极紫外光刻机的稳定供应，同时与材料巨头杜邦达成战略合作，保障Underfill 3.0封装材料的三年稳定供应。在市场策略上，公司创新性地采用"核心客户优先+生态伙伴预留"的双轨制分配方案，其中60%的先进封装产能将专项支持英伟达新一代Blackwell架构GPU的生产需求，30%产能预留予AMD的MI400系列AI加速器，剩余10%产能作为战略储备。在技术创新维度，三星开发的基于5nm制程逻辑芯片的3D异构集成方案已通过亚马逊AWS和谷歌云平台的联合仿真测试，热力学模拟数据显示该技术可将芯片互连功耗显著降低至1.8皮焦耳/比特，为下一代高性能计算芯片提供了突破性的封装解决方案。

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