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行业掀起涨价潮,三星、台积电、英伟达集体调整价格策略

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导读:

“近期半导体及存储市场波动显着,多家头部企业陆续释放涨价信号。”

  近期半导体及存储市场波动显着,多家头部企业陆续释放涨价信号,引发产业链上下游高度关注。以下为三大关键事件的深度梳理:
  
  三星存储芯片价格上调,市场掀起抢购热潮
  
  5月初,三星电子与核心客户达成协议,宣布对DRAM芯片实施新一轮涨价。据行业人士透露,DDR4 DRAM涨价幅度约为20%,而DDR5 DRAM则上调约5%。这是三星自2024年以来首次上调DRAM价格,也是近一年内的首次动作。
  
  值得注意的是,DRAM实际交易价格自4月起已逐步走高。以PC用DDR4 8Gb(1Gx8 2133MHz)为例,其4月价格环比飙升22.22%,创下去年4月以来的首次上涨。
  
  与此同时,三星计划逐步退出MLC NAND Flash市场。据悉,该厂已通知客户仅接受截至6月的订单,并通过涨价策略引导客户减少采购。此举直接触发市场恐慌性囤货,群联、威刚、创见等NAND厂商成为主要受益者。
  
  韩媒The Elec报道指出,三星停止MLC NAND供应的消息震动行业,连同为韩国企业的LGD也因无法获取三星货源,被迫转向其他供应商调货,凸显市场对供应短缺的担忧。作为全球最大MLC NAND供应商,三星的停供决策或将加剧下游供应链紧张局势。
  
  台积电2nm工艺晶圆涨价10%,成本压力传导至产业链
  
  全球半导体代工巨头台积电近日宣布,将对先进制程晶圆价格进行调整。知情人士透露,2nm工艺晶圆价格将较此前上涨10%,以去年300mm晶圆约3万美元的基准价计算,新定价将升至3.3万美元。此外,4纳米节点价格预计上调10%-30%,具体涨幅视客户谈判情况而定。
  
  此次涨价主要源于两大因素:一是公司在美国等海外地区建设晶圆厂的成本上升,这直接导致了生产成本的增加。二是台积电需要回收其今年高达380亿至420亿美元的资本支出计划,这也是涨价的一个重要考量。
  
  英伟达全线产品调价,成本转嫁策略全面启动
  
  为应对美国关税、芯片制造成本上升及代工转移等压力,英伟达近期对旗下产品实施价格调整。据行业消息,游戏显卡价格上涨5%-10%,AI GPU(如H200、B200)及模组涨幅扩大至15%。
  
  以华硕RTX 5090为例,该显卡年初售价约9万元新台币,近期渠道价格已突破10万元,涨幅超10%。服务器厂商亦同步上调报价,涨幅集中在10%-15%区间。供应链分析指出,英伟达将Blackwell芯片生产转移至台积电美国亚利桑那州工厂,导致代工、材料及物流成本大幅增加。凭借强大的成本转嫁能力,英伟达此轮涨价符合市场预期。
  
  小结:涨价潮背后的逻辑与影响
  
  三星、台积电、英伟达的涨价决策均指向共同驱动因素——成本压力与产能紧缩。三星通过MLC NAND停供抢占高端市场,台积电以先进制程技术强化议价权,英伟达则利用供需失衡转嫁成本。短期内,这将加剧下游客户的采购成本压力,但长期来看,技术壁垒与产能稀缺性仍是半导体行业定价的核心逻辑。