联电推出40纳米RFSOI平台，加速5G毫米波应用

晶圆代工大厂联电宣布推出40纳米射频绝缘上覆硅（RFSOI）制程平台，可供量产毫米波（mmWave）的射频（RF）前端制程产品，进而推升5G无线网络普及，以及在智能手机、固定无线接入（FWA）系统和小型基地台等方面应用，预计2024年开始量产。

联电表示，现今大多数的5G网络传输都在8GHz以下的低频段，但毫米波技术则使用介于24～60GHz间的高频段，借此提供超高的传输速度、极低的延迟及更稳定的连接。

联电40纳米RFSOI制程平台针对射频开关、低噪音放大器和功率放大器进行优化，能处理更宽的毫米波频段，并能保持精巧尺寸，同时达到在毫米波模组中含括更多射频元件需求，以提供客户将波束形成器、核心和被动元件及前端元件整合在单一射频芯片的解决方案。

联电技术开发部执行处长马瑞吉（Raj Verma）指出，5G的发展取决于毫米波的布建，以提供虚拟和现实增强（VR/AR）、智能城市、工业自动化和健康医疗应用所需的速度与能力。

马瑞吉表示，联电随着推出40纳米RFSOI平台扩展射频技术组合，协助客户将其先进5G设备推向市场，并在持续成长的毫米波市场掌握商机。目前已有几家客户已经与联电洽谈，为其射频前端产品制定客制化的40纳米RFSOI制程，预计2024年开始量产。

联电提供完整的射频前端模组解决方案，RFSOI系列解决方案以8寸和12寸晶圆生产。自2014年以来，联电已有超过400个产品完成设计定案（tape out），350亿颗RFSOI制程IC投入各种应用，55纳米RFSOI制程也已投产多年，服务5G sub-8GHz市场。

*免责声明：文章来源于网络，如有争议，请联系客服。