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长江存储与美光芯片战升级。 3D NAND闪存制造商长江存储，已于9日在美国加州北区地方法院对美国记忆芯片龙头美光科技提告，指控美光侵犯了长江存储8项与3D NAND相关的美国专利。

存储器大厂美光科技（Micron）宣布推出采用 1β 制程节点技术的 16Gb DDR5 存储器。美光 1β DDR5 DRAM 的内置系统功能速率可达 7200MT/s，目前已出货给所有资料中心及 PC 端客户。

印度电子与信息部长钱德拉塞卡23日出席美国存储器芯片大厂美光（Micron）在当地的首座芯片厂动土典礼时表示，该工厂将很快完工，预计2024年12月开始生产印度首批本土芯片，显示印度朝向全球半导体重镇的目标迈进一大步。

近期，美光、英特尔、联电等重要半导体制造商近年来都在东南亚加大投资力度，以扩展市场布局。就连台积电也传出消息，计划在新加坡设立首座12英寸晶圆厂。

美光科技Micron宣布推出新一代的HBM3Gen2存储器，初步推出8层堆叠的24GBHBM3Gen2存储器，预计2024年再公布12层堆叠的36GBHBM3Gen2；

在上月被网信办审查的美商半导体公司美光科技16日宣布，计划在未来几年在中国大陆西安的封装测试工厂投资达43亿元人民币。

路透社报导，美国众议院「中国问题特别委员会」主席盖拉格（Mike Gallagher）23日表示，在中国禁止美国芯片制造商美光科技的部分芯片销售后，美国商务部应该对中国存储器芯片制造商长鑫存储（CXMT）实施贸易管制。

业界人士周二（21 日）爆料，美国芯片设计公司迈威尔科技（Marvell）继去年 10 月宣布裁撤大部分中国研发团队后，近日已决定裁掉其余中国研发人员。

美国商务部本月15日将中国记忆体芯片大厂长江存储列入贸易黑名单，长江存储业务受到严重打击

1月10日消息，全球经济放缓，冲击消费性电子产品的需求，存储芯片成重灾区，业者陷入近十多年来最糟的状况。