美光科技突破存储器墙瓶颈，推出1β DDR5存储器产品线

　　存储器大厂美光科技（Micron）宣布推出采用 1β 制程节点技术的 16Gb DDR5 存储器。美光 1β DDR5 DRAM 的内置系统功能速率可达 7200MT/s，目前已出货给所有资料中心及 PC 端客户。美光 1β DDR5 存储器采用先进高介电常数 CMOS 制程、四相位时脉及时脉同步，相较于前一代产品，性能可提升 50%，每瓦性能功耗可降低 33%。


　　美光科技指出，为应对资料中心工作负载所需，CPU 内核数持续增加，为突破「存储器墙」（Memory Wall）瓶颈，同时为客户提供最佳化的总拥有成本，对于存储器频宽及容量需求也随之大幅提升。美光 1β DDR5 DRAM 可扩大运算能力，并以更高性能辅佐资料中心及客户端平台，支持 AI 训练及推论、生成式 AI、资料分析、存储器资料库等。全新 1β DDR5 DRAM 产品在现有模组化密度中，速率可达 4800MT/s 至 7200MT/s，适用于资料中心及客户端应用。

　　美光核心运算 DRAM 产品设计工程事业部企业副总裁 Brian Callaway 指出，量产 1β DDR5 DRAM 并提供给客户及资料中心平台，是业界一大里程碑，在我们与生态系伙伴及客户合作下，将加速高性能存储器产品的普及。

　　美光 1β 技术协助提供更广泛的存储器解决方案，包括使用 16Gb / 24Gb / 32Gb DRAM 晶粒 DDR5 RDIMMs 和 MCRDIMMs、使用 16Gb / 24Gb DRAM 晶粒的 LPDDR5X 及 HBM3E 与 GDDR7。全新美光 16Gb DDR5 存储器产品可通过直接销售及渠道伙伴供货。

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