智原科技联手英飞凌推出40奈米eFlash平台 抢攻AI应用

ASIC设计服务暨IP研发销售厂商智原科技今日（12月13日）宣布，与英飞凌合作推出SONOS嵌入式快闪记忆体（eFlash）平台，于联电40奈米uLP制程。智原科技今日股价收在164元平盘价。

智原科技表示，此平台包含新开发的eFlash子系统IP及完整的eFlash测试解决方案，具有容易整合、可快速存取闪存资料等优势，更可加速产品开发进程，协助客户更轻松地采用该快闪记忆体技术；并同时透过内建自检功能（BIST）来简化SONOS eFlash测试，为客户提供扎实的品质优势。

智原科技指出，为满足人工智能、智能电网、物联网和和微控制器（MCU）等应用对40奈米低功耗及资料安全的eFlash需求，智原科技联手英飞凌合作开发这套SONOS eFlash平台，主要包括快闪记忆体区块、微控制器、以及新开发的eFlash子系统IP。

智原科技进一步指出，其中子系统IP整合汇流排界面电路与时脉整合电路等，并提供自动完成eFlash初始化、简化资料抹除与写入操作流程、以及对快闪记忆体的读写保护和模拟随机写入缓冲区等功能，协助客户轻易整合与使用SONOS eFlash IP。此外，内建BIST的子系统只需采用一般的光学检测仪器做测试，确保快闪记忆体量产时的品质及可靠性，并可减少检测时间。

英飞凌记忆体解决方案部资深总监Vineet Agrawal表示，很高兴与智原科技合作，为客户开发这套SONOS eFlash平台。40uLP SONOS eFlash在过去几年已交付许多量产方案，未来结合智原科技完善的IP子系统、多元化的IP产品和测试解决方案，我们相信可以协助智原科技的客户加快拓展高性能和低功耗产品。

智原科技营运长林世钦表示，英飞凌的SONOS eFlash技术已在40奈米制程中获得多项市场应用的验证。透过英飞凌在联电40uLP SONOS eFlash的优势，相较其它市面上的eFlash方案可使用更少的光罩层数而缩短生产周期。搭配该新平台和智原科技完全相容于40uLP SONOS eFlash制程的丰富IP资源，可以进一步协助客户轻松实现新一代芯片设计的成本、功耗和性能需求。

*免责声明：文章来源于网络，如有争议，请联系客服。