天岳先进与东芝电子元件达成合作

　　天岳先进（SICC）与东芝电子元件及存储装置株式会社（东芝）达成合作，主要目的可从行业背景和双方需求角度分析，核心围绕碳化硅（SiC）半导体产业链的协同与互补。主要核心目的：东芝，需要稳定获取高质量衬底以扩大自身SiC功率器件生产，满足电动汽车、光伏等领域需求。稳定、高质量的碳化硅衬底供应，同时助力天岳先进打入全球顶级供应链，降低对欧美供应链的依赖，共同推动碳化硅市场的快速发展。据了解天岳先进稀缺的资源是8英寸衬量产能力；国际头部客户背书，可提升市场地位；扩大国际市场，两家合作起来减少对欧美供应商（如Wolfspeed、Coherent）的依赖，提升供应链韧性。

　　双方将开展以下合作：针对SiC功率半导体特性提升与品质改善的技术协作，以及运用合作成果扩大高品质稳定衬底供应的商业合作。采用SiC衬底的功率半导体，因其应用于电动汽车、可再生能源系统等要求高效电力转换的场景，在电力效率之外，可靠性与品质稳定性也成为重要课题。

　　东芝电子元件以铁路用SiC功率半导体的开发、制造及供应实绩为基础，正加速推进服务器电源用、车载用等SiC器件开发，未来将致力于进一步降低SiC功率半导体损耗，开发面向高效电力转换应用的高可靠性、高效率产品。除东芝电子元件自主研发外，与SiC衬底技术改良的紧密协作也至关重要。SiC衬底开发及量产技术领域具有全球领导地位的天岳先进达成合作，有望为各应用场景提供最优解决方案，加速业务拓展。

　　天岳先进自2010年创立以来，始终专注于单晶SiC衬底的开发生产。公司将品质与技术研发作为核心经营理念，碳化硅衬底领域相关专利数量全球前五。以2022年中国首家SiC概念企业上市为契机，实现了全球化业务拓展与市场份额垂直增长。2024年率先发布全球首款12英寸SiC衬底，2025年实现n型、半绝缘型及p型全系产品12英寸衬底布局。未来将继续通过卓越品质与尖端技术，致力于成为客户信赖的企业。此次与东芝电子元件达成合作，天岳先进将把SiC功率半导体产品的需求，以及东芝对SiC衬底核心技术应用的期待，转化为衬底品质与可靠性的提升，助力SiC功率半导体市场发展。

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