创意电子宣布旗下5纳米HBM3 IP通过8.4 Gbps硅验证！

　　先进ASIC领导厂商创意电子（GUC）宣布，该公司采用台积电5纳米制程技术的HBM3 IP解决方案已通过 8.4 Gbps 硅验证。此方案采用台积电领先业界的 CoWoS技术，以结合功能完善的HBM3控制器、实体层 IP，以及厂商HBM3存储器。该平台已于2023年台积电北美技术论坛的合作伙伴展示区内公开展示。

　　自2020年起，许多客户均采用创意电子旗下的HBM控制器和实体层IP来进行HPC ASIC生产。而HBM存储器厂商正持续将传输率和存储器大小从HBM3提升至HBM3E/P，并在HBM4进一步加宽信号汇流排宽度。然而，在基本DRAM时序参数未改变的情况下，HBM控制器也需要不断强化以提高汇流排利用率。创意电子的HBM3控制器可在随机存取时，实现超过90%的汇流排利用率并保有低延迟性。

　　目前创意电子采用台积电5纳米技术的HBM3 IP已通过硅验证，并已推出采用3纳米技术的HBM3 IP。此IP支持台积电的CoWoS-S 和 CoWoS-R，并可达到目前尚在规划中的下一代HBM3E/P存储器的速度。

　　监于Level 4自动驾驶电脑讲求爆发性的运算能力，车用处理器纷纷开始采用2.5D小芯片架构和HBM3存储器。在严苛的车用环境和高可靠性要求下，持续监控2.5D互联和替换故障通道都成为不可或缺的环节。创意电子在旗下的所有 HBM 和晶粒对晶粒界面测试芯片中整合了proteanTecs的运作状况和性能监控解决方案。

　　ProteanTecs的技术现已通过创意电子5 纳米HBM3 IP完成8.4 Gbps速度的硅验证。在现场作业资料传输期间，I/O信号品质将持续受到监控，且不需任何再训练或中断传输。每个信号通道都会分别进行监控，以先行识别和修复缺陷，从而避免其造成系统故障，并延长芯片使用寿命。

　　创意电子总经理戴尚义博士表示：「我们很荣幸能展示全球第一款8.4 Gbps的HBM3控制器和实体层。创意电子采用台积电的7纳米、5 纳米和3纳米技术，建立了完备的2.5D／3D小芯片IP产品组合。本公司将结合包括CoWoS、InFO和 TSMC-SoIC在内的多项台积电3DFabric技术设计专业，为客户的人工智能（AI）／高性能运算（HPC）／xPU／网络／先进驾驶辅助系统(ADAS)产品提供稳健且全方位的解决方案。」

　　创意电子技术负责人Igor Elkanovich提到：「我们在2.5D小芯片产品领域累积了深厚的制造经验，不仅借此定义出最严谨的验证标准，更为旗下IP提供全方位的诊断功能，可满足全球先进汽车制造商最严格的品质条件。使用HBM3、GLink-2.5D／UCIe及GLink-3D界面于2.5D与3D封装的趋势有助于日后研发出高度模组化、以小芯片为基础且不受限于光罩尺寸的新一代处理器。」

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