力积电积极强化AI领域布局，扩大整体动能

　　尽管力积电短线运营较疲弱，公司仍持续推进技术，强化AI领域布局。力积电总经理谢再居昨日表示，正开发高速运算芯片所需的存储器晶圆堆叠技术（Wafer-on-Wafer，WoW），行业客户非常感兴趣。

　　力积电对此非常看好，现阶段AI是局部性的效益，期待明年将扩大成整体动能。谢再居指出，AI对半导体的影响很大，过程中最大受益者会是龙头厂台积电，由于AI未来将会更广泛应用到其他领域，若能持续扩大，对半导体领域的带头作用将会更加显著。

　　力积电先前推出领先全球业界，结合40纳米逻辑、25纳米DRAM制程，以晶圆堆叠技术制成3D AI加速器，一举将逻辑电路与DRAM之间的资料传输频宽扩增至1024位元（bit），与现有的32或64位元相较，堪称一举击穿影响系统运算性能至钜的存储器高墙。

　　谈到铜锣厂进度，谢再居指出，正建立一条月产能8500片的小型试产线，预定年底装机完成开始试产，并由客户开始认证产品及产品线，希望明年夏天能开始小量生产，下半年贡献营收。

　　另外，因半导体景气市况何时复苏尚未明朗化，力积电希望随着景气回温，期盼在2025年或2026年，铜锣厂能达到月产能2万片的经济规模，更具效益。

　　应对客户希望分散地缘风险，力积电也考虑在海外兴建晶圆厂，但因目前资金集中用于铜锣厂12寸厂建设，因此采取以技术输出方式与国外控股公司合作。

　　力积电在本月5日宣布，与日本SBI控股株式会社（SBI）达成协议，双方将携手合作，于日本境内建造12寸晶圆厂筹备公司，主攻22／28纳米。谢再居补充，此模式相关细节都还未有具体结论，但原则是相关建厂资金是由SBI与日本政府协商进行筹措。

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