意法半导体工业级STripFET F8器件品质因数提升至40%

意法半导体（STMicroelectronics）于3月8日推出STL120N10F8 N 沟道 100V 功率 MOSFET 结合了极低的栅极-漏极电荷 (QGD) 和导通电阻 RDS(on)，与上一代同类器件相比，品质因数 (FoM) 提高了 40%。

新型 MOSFET 利用 ST 先进的STPOWER STripFET F8 技术，该技术引入了氧化物填充沟槽，可实现极低的传导损耗和低栅极电荷，从而实现高效的开关性能。因此，STL120N10F8的最大 RDS(on) 为 4.6mΩ（在 VGS = 10V 时），并且可以在高达 600kHz 的开关频率下高效运行。

STripFET F8 技术还确保输出电容值有助于减轻漏源电压尖峰并最大程度地减少浪费的充放电能量。MOSFET 体漏极二极管特性也表现出更高的柔软度。这些改进减少了电磁辐射，因此简化了最终系统的合规性测试，以根据适用的产品标准证明电磁兼容性 (EMC)。

凭借其卓越的效率和较低的电磁辐射，STL120N10F8增强了硬开关和软开关拓扑中的功率转换性能。此外，它还是首款完全符合工业级规格的STPOWER 100V STripFET F8 MOSFET 。因此，它非常适合电机控制应用，以及电信和计算机系统的电源和转换器，以及 LED 和低压照明。它还适用于消费类电器和电池供电设备。

新型 MOSFET 具有其他优势，包括非常紧密的栅极阈值电压 (VGS(th)) 分布，可简化大电流应用中多个器件的并联连接。这些器件还非常坚固，能够承受 10μs 范围内脉冲高达 800A 的短路电流。

采用 PowerFLAT5x6 封装的STL120N10F8全面投产，1000件起订价为 1.04 美元。

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