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场效应管(MOSFET)采购简介

场效应管(MOSFET)是一种电压控制型半导体器件,具有以下特点: ### 基本功能 MOSFET通过在栅极(Gate)和源极(Source)之间施加电压来控制漏极(Drain)和源极之间的电流。它主要有两个工作重点:电流和电压控制,能够在很小的电流和电压条件下工作,且输入端几乎不消耗电流,具有高输入阻抗。 ### 物理特性 MOSFET通常在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上,通过半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区,作为漏极和源极。在漏极和源极之间的P型半导体表面覆盖一层很薄的SiO2绝缘层膜,再在这个绝缘层膜上装上一个铝电极,作为栅极G。 ### 电气特性 MOSFET的电气特性包括高输入阻抗、低噪声、热稳定性好、制造工艺简单等。它是由多数载流子导电的单极型器件,因此温度稳定性和抗辐射能力较强。 ### 技术规格 技术规格涉及MOSFET的阈值电压、栅极关态电流、亚阈摆幅、载流子迁移率及迁移率衰减系数等参数。这些参数影响MOSFET的电学性能和低频噪声性能。 ### 应用领域 MOSFET广泛应用于大规模和超大规模集成电路中,特别是在需要低功耗、高性能稳定、抗辐射能力强的场合。它也被用于电动车防盗报警系统、电子烟、不间断电源(UPS)、充电桩电路等领域。 ### 封装类型 MOSFET的封装类型包括DIP、TO、PGA、D-PAK、SOT、SOP和QFP等。每种封装都有其特定的应用场景和优势,如DIP适用于低频、低功率场合,而QFP适用于高频、高密度集成。 ### 制造工艺 MOSFET的制造工艺包括基片准备、晶圆涂覆、光刻等步骤。基片经过清洗、去除表面氧化层等处理后,进行底层和顶层光刻胶涂覆、曝光和固化,最后进行图形转移。 ### 可靠性与寿命 MOSFET的可靠性和寿命受尺寸缩小效应的影响,这可能导致性能变化和质量与可靠性问题。通过电学性能和低频噪声性能测试,可以建立MOSFET器件电学表征方法和低频噪声表征方法的互补表征体系,以评估器件的质量和寿命。

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  • 2N7002K

    品牌: Ichjc(宏迦橙)

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: SOT-23

    库存: 2151941

    标准包: 3000

    增量: 50

    50+

    --

    ¥0.1277

    500+

    --

    ¥0.0992

    3000+

    --

    ¥0.0767

    6000+

    --

    ¥0.0671

    24000+

    --

    ¥0.0629

    51000+

    --

    ¥0.0599

    大陆: 2-4工作日
    - +

    合计:¥6.385

    起订量:50

    倍数:50

    官方客服电话:400-900-7975

  • EFC4627R-A-TR_场效应管(MOSFET)
    EFC4627R-A-TR

    品牌: Onsemi(安森美)

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: 4-XFBGA

    库存: 2120000

    标准包: 1

    增量: 1

    批次: 2501+

    982+

    $0.4966

    ¥3.7813

    1065+

    $0.458

    ¥3.4873

    10000+

    $0.4082

    ¥3.1082

    100000+

    $0.342

    ¥2.6044

    大陆: 13-16工作日
    香港: 10-13工作日
    - +

    合计:¥3713.2366

    起订量:982

    倍数:1

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  • BSZ110N08NS5ATMA1

    品牌: Infineon(英飞凌)/Cypress

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: PG-TSDSON-8-FL

    库存: 2120000

    标准包: 5000

    增量: 5000

    批次: 2627+

    5000+

    $0.5676

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    - +

    合计:¥21609.00

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  • BSZ110N08NS5ATMA1

    品牌: Infineon(英飞凌)/Cypress

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: PG-TSDSON-8-FL

    库存: 2120000

    标准包: 5000

    增量: 5000

    批次: 2627+

    5000+

    $0.5676

    ¥4.3218

    15000+

    $0.562

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    大陆: 9-12工作日
    香港: 6-9工作日
    - +

    合计:¥21609.00

    起订量:5000

    倍数:5000

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  • NTR3A085PZT1G

    品牌: onsemi(安森美)/Aptina

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: SOT-23-3(TO-236)

    库存: 2106000

    标准包: 1

    增量: 1

    批次: 1801+

    2738+

    $0.1781

    ¥1.3561

    10000+

    $0.159

    ¥1.2106

    100000+

    $0.1331

    ¥1.0136

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    合计:¥3713.0018

    起订量:2738

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  • MCH6307-G-TL-E_场效应管(MOSFET)
    MCH6307-G-TL-E

    品牌: onsemi(安森美)/Aptina

    分类: 场效应管(MOSFET)

    库存: 2076000

    标准包: 1

    增量: 1

    批次: 1201+

    6834+

    $0.0714

    ¥0.5434

    10000+

    $0.0636

    ¥0.484

    100000+

    $0.0533

    ¥0.4058

    大陆: 13-16工作日
    香港: 10-13工作日
    - +

    合计:¥3713.5956

    起订量:6834

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  • NTMFS0D55N03CGT1G

    品牌: onsemi(安森美)/Aptina

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: 5-DFN(5x6)(8-SOFL)

    库存: 2049550

    标准包: 1

    增量: 1

    批次: 2201+

    212+

    $2.3075

    ¥17.5703

    500+

    $2.08

    ¥15.838

    1000+

    $1.9175

    ¥14.6007

    10000+

    $1.7063

    ¥12.9921

    100000+

    $1.4307

    ¥10.8936

    大陆: 13-16工作日
    香港: 10-13工作日
    - +

    合计:¥3724.9036

    起订量:212

    倍数:1

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  • CSD25483F4

    品牌: TI(德州仪器)

    分类: 场效应管(MOSFET)

    库存: 2046837

    标准包: 3000

    增量: 1

    1+

    --

    ¥0.5114

    2+

    --

    ¥0.5056

    3+

    --

    ¥0.50

    4+

    --

    ¥0.4945

    大陆: 7月10日
    - +

    合计:¥0.5114

    起订量:1

    倍数:1

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  • DMN3020UFDF-7

    品牌: DIODES(美台)

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: U-DFN2020-6(F 类)

    库存: 1962000

    标准包: 3000

    增量: 3000

    批次: 2443+

    3000+

    $0.1698

    ¥1.2928

    大陆: 19-22工作日
    香港: 16-19工作日
    - +

    合计:¥3878.40

    起订量:3000

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