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    百能云芯(元器件)首页 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET)

    场效应管(MOSFET)采购简介

    场效应管（MOSFET）是一种电压控制型半导体器件，具有以下特点： ### 基本功能 MOSFET通过在栅极（Gate）和源极（Source）之间施加电压来控制漏极（Drain）和源极之间的电流。它主要有两个工作重点：电流和电压控制，能够在很小的电流和电压条件下工作，且输入端几乎不消耗电流，具有高输入阻抗。 ### 物理特性 MOSFET通常在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，通过半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区，作为漏极和源极。在漏极和源极之间的P型半导体表面覆盖一层很薄的SiO2绝缘层膜，再在这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。 ### 电气特性 MOSFET的电气特性包括高输入阻抗、低噪声、热稳定性好、制造工艺简单等。它是由多数载流子导电的单极型器件，因此温度稳定性和抗辐射能力较强。 ### 技术规格 技术规格涉及MOSFET的阈值电压、栅极关态电流、亚阈摆幅、载流子迁移率及迁移率衰减系数等参数。这些参数影响MOSFET的电学性能和低频噪声性能。 ### 应用领域 MOSFET广泛应用于大规模和超大规模集成电路中，特别是在需要低功耗、高性能稳定、抗辐射能力强的场合。它也被用于电动车防盗报警系统、电子烟、不间断电源（UPS）、充电桩电路等领域。 ### 封装类型 MOSFET的封装类型包括DIP、TO、PGA、D-PAK、SOT、SOP和QFP等。每种封装都有其特定的应用场景和优势，如DIP适用于低频、低功率场合，而QFP适用于高频、高密度集成。 ### 制造工艺 MOSFET的制造工艺包括基片准备、晶圆涂覆、光刻等步骤。基片经过清洗、去除表面氧化层等处理后，进行底层和顶层光刻胶涂覆、曝光和固化，最后进行图形转移。 ### 可靠性与寿命 MOSFET的可靠性和寿命受尺寸缩小效应的影响，这可能导致性能变化和质量与可靠性问题。通过电学性能和低频噪声性能测试，可以建立MOSFET器件电学表征方法和低频噪声表征方法的互补表征体系，以评估器件的质量和寿命。

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    • DMG1012T-7_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      DMG1012T-7

      品牌： DIODES(美台)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： SOT-523

      库存： 229773

      标准包： 3000

      增量： 1

      批次： 2627+

      5+

      --

      ¥0.7129

      50+

      --

      ¥0.5789

      150+

      --

      ¥0.51

      500+

      --

      ¥0.4582

      3000+

      --

      ¥0.4167

      6000+

      --

      ¥0.3941

      大陆: 2-3工作日
      - +

      合计：¥3.5645

      起订量：5

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    • 2N7002/HAMR_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      2N7002/HAMR

      品牌： Nexperia(安世)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： TO-236AB

      库存： 228591

      标准包： 1

      增量： 1

      批次： 2201+

      7634+

      $0.0638

      ¥0.486

      10000+

      $0.0571

      ¥0.4346

      100000+

      $0.0478

      ¥0.3643

      大陆: 13-16工作日
      香港: 10-13工作日
      - +

      合计：¥3710.124

      起订量：7634

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    • AUIRFC8407TR_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      AUIRFC8407TR

      品牌： International Rectifier

      分类： 场效应管(MOSFET)

      库存： 228426

      标准包： 1

      增量： 1

      批次： 1901+

      455+

      $1.0733

      ¥8.1724

      505+

      $0.9659

      ¥7.3548

      1000+

      $0.8909

      ¥6.7836

      10000+

      $0.7943

      ¥6.0481

      100000+

      $0.6655

      ¥5.0672

      大陆: 13-16工作日
      香港: 10-13工作日
      - +

      合计：¥3718.442

      起订量：455

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    • SSM3J372R,LF_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      SSM3J372R,LF

      品牌： TOSHIBA(东芝)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： SOT-23F

      库存： 228383

      标准包： 1

      增量： 3000

      3000+

      $0.8374

      ¥6.931

      9000+

      $0.7161

      ¥5.9265

      大陆: 10-13工作日
      香港: 8-11工作日
      - +

      合计：¥20793.00

      起订量：3000

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    • SSM3J372R,LF_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      SSM3J372R,LF

      品牌： TOSHIBA(东芝)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： SOT-23F

      库存： 228383

      标准包： 1

      增量： 1

      1+

      $3.8985

      ¥32.2661

      10+

      $2.3966

      ¥19.8356

      50+

      $1.7271

      ¥14.2942

      100+

      $1.5083

      ¥12.4838

      500+

      $1.1218

      ¥9.285

      大陆: 10-13工作日
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      - +

      合计：¥32.2661

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    • SSM3J372R,LF_场效应管(MOSFET)
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      SSM3J372R,LF

      品牌： TOSHIBA(东芝)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： SOT-23F

      库存： 228383

      标准包： 1

      增量： 1

      1+

      $3.8985

      ¥32.2661

      10+

      $2.3966

      ¥19.8356

      50+

      $1.7271

      ¥14.2942

      100+

      $1.5083

      ¥12.4838

      500+

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      ¥9.285

      大陆: 10-13工作日
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      - +

      合计：¥32.2661

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    • NDS9953A_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      NDS9953A

      品牌： onsemi(安森美)/Fairchild

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： 8-SOIC

      库存： 228322

      标准包： 1

      增量： 1

      批次： 0401+

      413+

      $1.1805

      ¥8.9891

      500+

      $1.0626

      ¥8.0912

      1000+

      $0.9799

      ¥7.4617

      10000+

      $0.8736

      ¥6.652

      100000+

      $0.7319

      ¥5.573

      大陆: 13-16工作日
      香港: 10-13工作日
      - +

      合计：¥3712.4983

      起订量：413

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    • IPN60R3K4CEATMA1_场效应管(MOSFET)
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      IPN60R3K4CEATMA1

      品牌： Infineon(英飞凌)/Cypress

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： PG-SOT223-3

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    • VEC2610-TL-E_场效应管(MOSFET)
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      VEC2610-TL-E

      品牌： onsemi(安森美)/Aptina

      分类： 场效应管(MOSFET)

      库存： 228000

      标准包： 1

      增量： 1

      批次： 1101+

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      $0.3741

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      ¥2.54

      100000+

      $0.2795

      ¥2.1282

      大陆: 13-16工作日
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      起订量：1304

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