百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > MDDG10R08D
阶梯
美金
含税
5+
--
¥1.7187
50+
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¥1.4817
150+
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¥1.3728
500+
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¥1.2438
2500+
--
¥1.18
5000+
--
¥1.1374
货期:
品牌:
分类:
封装:
TO-252
描述:
100V N沟道增强型MOSFET
商品型号 :
MDDG10R08D
类目 :
品牌 :
MDD(辰达)
最小包装量 :
2500
起订量 :
5
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
1504
系列
--
包装
卷带(TR)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
70A
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
8.2 毫欧@30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V@250µA
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
100W
工作温度
-55℃~150℃
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252
封装/外壳
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
阶梯
香港交货
大陆交货(含税)
库存: 1504
标准包: 2500
增量: 5
5+
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¥1.7187
50+
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¥1.4817
150+
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¥1.3728
500+
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¥1.2438
2500+
--
¥1.18
5000+
--
¥1.1374
库存: 2500
标准包: 2500
增量: 2
10+
$0.8813
¥6.7105
200+
$0.5197
¥3.957
800+
$0.3596
¥2.7384
2500+
$0.254
¥1.934
5000+
$0.2386
¥1.8169
25000+
$0.2186
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