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MDDG10R08D

阶梯

美金

含税

10+

$0.8813

¥6.7105

200+

$0.5197

¥3.957

800+

$0.3596

¥2.7384

2500+

$0.254

¥1.934

5000+

$0.2386

¥1.8169

25000+

$0.2186

¥1.6645

  • 库存:2500
  • 起订量:10
  • 倍数:2

货期:

大陆: 3-6工作日
香港: 5-7工作日

数量:

- +

合计:

¥67.105

  • 最小包装量:2500

商品MDDG10R08D规格参数

商品型号 :

MDDG10R08D

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

MDD(辰达)

最小包装量 :

2500

起订量 :

10

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

2500

系列

--

包装

卷带(TR)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

70A

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

2.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

8.2 毫欧@30A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@250µA

Vgs(最大值)

±20V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

100W

工作温度

-55℃~150℃

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-252

封装/外壳

TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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