百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > TSM60NE180CE RVG
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3000+
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货期:
品牌:
分类:
封装:
8-PDFN(8x8)
描述:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin PDFN EP
商品型号 :
TSM60NE180CE RVG
类目 :
品牌 :
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
2516+
包装 :
Cut Strips
库存 :
3000
系列
--
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V,12V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
175 毫欧@6.6A,12V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
6V@1.8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
36 nC@10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1405pF@300 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
169W(Tc)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-PDFN(8x8)
封装/外壳
8-VDFN 祼焊盘
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
阶梯
香港交货
大陆交货(含税)
库存: 3000
标准包: 1
增量: 1
批次: 2516+
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| 阶梯 | 折后价(含税) | 原价 |
| 4+ | ¥23.4997 | ¥24.7365 |
| 10+ | ¥20.5387 | ¥21.6197 |
| 25+ | ¥20.4694 | ¥21.5467 |
| 50+ | ¥18.4591 | ¥19.4306 |
| 100+ | ¥17.6173 | ¥18.5445 |
| 250+ | ¥17.5282 | ¥18.4507 |
| 500+ | ¥17.3797 | ¥18.2944 |
| 1000+ | ¥17.2311 | ¥18.138 |
| 3000+ | ¥17.0925 | ¥17.9921 |
关税
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增量: 1
批次: 2516+
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| 阶梯 | 折后价(含税) | 原价 |
| 1+ | ¥23.4997 | ¥24.7365 |
| 10+ | ¥20.5387 | ¥21.6197 |
| 25+ | ¥20.4694 | ¥21.5467 |
| 50+ | ¥18.4591 | ¥19.4306 |
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| 500+ | ¥17.3797 | ¥18.2944 |
| 1000+ | ¥17.2311 | ¥18.138 |
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