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TSM60NE180CE RVG
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- 起订量：4
- 倍数：1
货期：
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品牌：
-
分类：
-
封装：
8-PDFN（8x8）
-
描述：
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin PDFN EP
- 最小包装量：1
- 批次：2516+
TSM60NE180CE RVG其他库存
商品TSM60NE180CE RVG规格参数
商品型号 :
TSM60NE180CE RVG
类目 :
品牌 :
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
最小包装量 :
1
起订量 :
4
批次 :
2516+
包装 :
--
库存 :
3000
系列
--
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V,12V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
175 毫欧@6.6A,12V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
6V@1.8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
36 nC@10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1405pF@300 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
169W(Tc)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-PDFN(8x8)
封装/外壳
8-VDFN 祼焊盘
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
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