百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > GT30J121(Q)
阶梯
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500+
$2.0612
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1000+
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货期:
品牌:
分类:
封装:
TO-3P(N)
描述:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
商品型号 :
GT30J121(Q)
类目 :
品牌 :
TOSHIBA(东芝)
最小包装量 :
100
起订量 :
100
批次 :
2303+
包装 :
--
库存 :
100
IGBT 类型
--
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
30A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
60A
功率 - 最大值
170W
开关能量
1mJ(开),800µJ(关)
输入类型
标准
25℃ 时 Td(开/关)值
90ns/300ns
测试条件
300V,30A,24 欧姆,15V
湿气等级
1(无限)
产品状态
在售
阶梯
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库存: 100
标准包: 100
增量: 100
批次: 2303+
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