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GT30J121(Q)

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¥365.641

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$29.026

¥241.0232

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  • 库存:88
  • 起订量:1
  • 倍数:1

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大陆: 10-13工作日
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数量:

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合计:

¥365.641

  • 包装:管件
  • 最小包装量:100

商品GT30J121(Q)规格参数

商品型号 :

GT30J121(Q)

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

100

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

管件

库存 :

88

系列

--

包装

管件

IGBT 类型

--

电压 - 集射极击穿(最大值)

600V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

30A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

60A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2.45V@15V,30A

功率 - 最大值

170W

开关能量

1mJ(导通),800µJ(关断)

输入类型

标准

25℃ 时 Td(开/关)值

90ns/300ns

测试条件

300V,30A,24 欧姆,15V

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-3P-3,SC-65-3

供应商器件封装

TO-3P(N)

基本产品编号

GT30J121

ECCN

EAR99

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