百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > XP10NA011J
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货期:
品牌:
分类:
封装:
TO-251S
描述:
MOSFET, N-CH, 100V, 48.5A, TO-251
商品型号 :
XP10NA011J
类目 :
品牌 :
YAGEO(国巨)
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
16
系列
XS10NA011
包装
管件
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
48.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
11 毫欧@30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V@250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
56 nC@10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2288pF@80 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
1.13W(Ta),50W(Tc)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-251S
封装/外壳
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
ECCN
EAR99
阶梯
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| 1+ | ¥10.8492 | ¥11.5417 |
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| 阶梯 | 折后价(含税) | 原价 |
| 1+ | ¥9.9429 | ¥10.5776 |
| 10+ | ¥9.0636 | ¥9.6421 |
| 100+ | ¥8.1167 | ¥8.6348 |
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| 1000+ | ¥6.2093 | ¥6.6056 |
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