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XP10NA011J

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商品XP10NA011J规格参数

商品型号 :

XP10NA011J

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

YAGEO(国巨)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

16

系列

XS10NA011

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

100V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

48.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

6V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

11 毫欧@30A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

56 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

2288pF@80 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

1.13W(Ta),50W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-251S

封装/外壳

TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA

ECCN

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  • XP10NA011J

    品牌: YAGEO(国巨)

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: TO-251S

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    品牌: YAGEO(国巨)

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: TO-251S

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