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    场效应管(MOSFET)FGY100T120RWD采购_元器件采购商城
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    商品FGY100T120RWD规格参数

    商品型号 :

    FGY100T120RWD

    类目 :

    场效应管(MOSFET)

    品牌 :

    Onsemi(安森美)

    最小包装量 :

    1

    起订量 :

    1

    批次 :

    --

    包装 :

    --

    库存 :

    27

    系列

    --

    包装

    管件

    IGBT 类型

    场截止

    电压 - 集射极击穿(最大值)

    1200V

    电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

    200A

    电流 - 集电极脉冲 (Icm)

    300A

    不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

    1.75V@15V,100A

    功率 - 最大值

    1495W

    开关能量

    8.13mJ(导通),7.05mJ(关断)

    输入类型

    标准

    栅极电荷

    427 nC

    25℃ 时 Td(开/关)值

    80ns/364ns

    测试条件

    600V,100A,4.7 欧姆,15V

    反向恢复时间 (trr)

    347ns

    工作温度

    -55℃~175℃(TJ)

    安装类型

    通孔

    封装/外壳

    TO-247-3 变式

    供应商器件封装

    TO-247-3

    REACH 状态

    不受 REACH影响

    ECCN

    EAR99

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    • FGY100T120RWD_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      FGY100T120RWD

      品牌： Onsemi(安森美)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： TO-247-3

      库存： 27

      标准包： 1

      增量： 1

      1+

      $13.7498

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    • FGY100T120RWD_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      FGY100T120RWD

      品牌： Onsemi(安森美)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： TO-247-3

      库存： 27

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