FGY100T120RWD

商品型号 :

FGY100T120RWD

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

5

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

374

系列

--

包装

管件

IGBT 类型

场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

1200V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

200A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

300A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

1.75V@15V,100A

功率 - 最大值

1495W

开关能量

8.13mJ(导通),7.05mJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

427 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

80ns/364ns

测试条件

600V,100A,4.7 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

347ns

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3 变式

供应商器件封装

TO-247-3

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99