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GT50JR22(STA1,E,S)

阶梯

美金

含税

1+

--

¥47.6153

10+

--

¥33.178

100+

--

¥28.7144

500+

--

¥28.1485

1000+

--

¥27.5718

  • 库存:350
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-12工作日

数量:

- +

合计:

¥47.6153

  • 最小包装量:1

商品GT50JR22(STA1,E,S)规格参数

商品型号 :

GT50JR22(STA1,E,S)

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

350

IGBT 类型

--

电压 - 集射极击穿(最大值)

600V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

50A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

100A

功率 - 最大值

230W

开关能量

--

输入类型

标准

25℃ 时 Td(开/关)值

--

测试条件

--

工作温度

175℃(TJ)

湿气等级

1(无限)

产品状态

在售

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