GT50JR22(STA1,E,S)

商品型号 :

GT50JR22(STA1,E,S)

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

25

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

管件

库存 :

25

系列

--

包装

管件

IGBT 类型

--

电压 - 集射极击穿(最大值)

600V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

50A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

100A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2.2V@15V,50A

功率 - 最大值

230W

开关能量

--

输入类型

标准

25℃ 时 Td(开/关)值

--

测试条件

--

工作温度

175℃(TJ)

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-3P-3,SC-65-3

供应商器件封装

TO-3P(N)

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99