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    场效应管(MOSFET)DMP2160UFDBQ-7采购_元器件采购商城
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    DMP2160UFDBQ-7

    阶梯

    美金

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    商品DMP2160UFDBQ-7规格参数

    商品型号 :

    DMP2160UFDBQ-7

    类目 :

    场效应管(MOSFET)

    品牌 :

    DIODES(美台)

    最小包装量 :

    1

    起订量 :

    5

    批次 :

    --

    包装 :

    --

    库存 :

    2684

    系列

    --

    包装

    卷带(TR);剪切带(CT)

    技术

    MOSFET(金属氧化物)

    配置

    2 个 P 沟道(双)

    FET 功能

    --

    漏源电压(Vdss)

    20V

    25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

    3.8A

    不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

    70 毫欧@2.8A,4.5V

    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    900mV@250µA

    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

    6.5nC@4.5V

    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

    536pF@10V

    功率 - 最大值

    1.4W

    工作温度

    -55℃~150℃(TJ)

    安装类型

    表面贴装型

    封装/外壳

    6-UDFN 祼焊盘

    供应商器件封装

    U-DFN2020-6(B 类)

    基本产品编号

    DMP2160

    REACH 状态

    不受 REACH影响

    ECCN

    EAR99

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    • DMP2160UFDBQ-7_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      DMP2160UFDBQ-7

      品牌： DIODES(美台)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： U-DFN2020-6（B 类）

      库存： 3000

      标准包： 3000

      增量： 3000

      批次： 2639+

      3000+

      $0.2806

      ¥2.0301

      6000+

      $0.257

      ¥1.8588

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      3000+ ¥2.0301 ¥2.1369
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    • DMP2160UFDBQ-7_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      DMP2160UFDBQ-7

      品牌： DIODES(美台)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： U-DFN2020-6（B 类）

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      10+ ¥4.9782 ¥5.296
      100+ ¥3.5037 ¥3.7273
      500+ ¥3.0979 ¥3.2956
      1000+ ¥1.4407 ¥1.5327
      5000+ ¥1.4137 ¥1.5039
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