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DMP2160UFDBQ-7

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商品DMP2160UFDBQ-7规格参数

商品型号 :

DMP2160UFDBQ-7

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

DIODES(美台)

最小包装量 :

3000

起订量 :

3000

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

3000

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 个 P 沟道(双)

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

3.8A

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

70 毫欧@2.8A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

900mV@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

6.5nC@4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

536pF@10V

功率 - 最大值

1.4W

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

6-UDFN 祼焊盘

供应商器件封装

U-DFN2020-6(B 类)

基本产品编号

DMP2160

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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  • DMP2160UFDBQ-7

    品牌: DIODES(美台)

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: U-DFN2020-6(B 类)

    库存: 3000

    标准包: 3000

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  • DMP2160UFDBQ-7

    品牌: DIODES(美台)

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: U-DFN2020-6(B 类)

    库存: 2684

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