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DMT8030LFDF-7

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商品DMT8030LFDF-7规格参数

商品型号 :

DMT8030LFDF-7

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

DIODES(美台)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

3182

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

80V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

7.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

25 毫欧@5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@250µA

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

641pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

1.2W(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

产品状态

在售

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  • DMT8030LFDF-7

    品牌: DIODES(美台)

    分类: 场效应管(MOSFET)

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  • DMT8030LFDF-7

    品牌: DIODES(美台)

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: U-DFN2020-6(F 类)

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