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    场效应管(MOSFET)DMT8030LFDF-7采购_元器件采购商城
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    DMT8030LFDF-7

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    商品DMT8030LFDF-7规格参数

    商品型号 :

    DMT8030LFDF-7

    类目 :

    场效应管(MOSFET)

    品牌 :

    DIODES(美台)

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    1

    起订量 :

    1

    批次 :

    --

    包装 :

    --

    库存 :

    3182

    FET 类型

    N 通道

    技术

    MOSFET(金属氧化物)

    漏源电压(Vdss)

    80V

    25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

    7.5A(Ta)

    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

    4.5V,10V

    不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

    25 毫欧@5A,10V

    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V@250µA

    Vgs(最大值)

    ±20V

    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

    641pF@25 V

    FET 功能

    --

    功率耗散(最大值)

    1.2W(Ta)

    工作温度

    -55℃~150℃(TJ)

    产品状态

    在售

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    • DMT8030LFDF-7_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      DMT8030LFDF-7

      品牌： DIODES(美台)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： U-DFN2020-6（F 类）

      库存： 3182

      标准包： 1

      增量： 1

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    • DMT8030LFDF-7_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      DMT8030LFDF-7

      品牌： DIODES(美台)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： U-DFN2020-6（F 类）

      库存： 3182

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