美光新款高频宽记忆体HBM3E将被用于英伟达H200

　　美国记忆体制造巨头美光（Micron）于26日宣布，其最新的高频宽记忆体HBM3E已正式量产。此项技术将被用于今年第2季度的英伟达（NVIDIA）H200 Tensor Core GPU，标志着美光在该领域处于业界领先地位。这一消息推动美光股价在当天上涨4%，27日美股早盘继续上涨逾2.5%。
　　

　　HBM3E是第五代高频宽记忆体，目前提供的容量为24GB，每脚位传输速率超过每秒9.2 Gb，记忆体频宽达每秒1.2 TB以上。相较于竞争对手，美光HBM3E的功耗降低约30%。
　　
　　公司计划在2024年3月推出12层堆叠36GB HBM3E的样品，该产品的效能可达每秒1.2TB以上，并具备出色的功耗表现。
　　
　　这一里程碑性的量产对于美光而言是一项重大突破，预计将为公司2024年带来7亿美元的HBM销售收入。
　　
　　然而，三星电子也紧随其后，于27日宣布成功研发出业界首款采用矽穿孔技术的12层堆叠HBM3E。这款新产品的容量达到36GB，是迄今为止业内最大的容量，已经开始提供样品，并计划在下半年进行量产。
　　
　　在同一领域，SK海力士于1月中旬完成HBM3E的开发，并计划于3月开始量产。然而，美光的成功量产使得SK海力士的进度显得相对滞后。Omdia最新的数据显示，截至2023年第4季，三星电子在全球DRAM市场的份额为45.7%，SK海力士为31.7%，而美光为19.1%。
　　
　　随着高性能计算和人工智能应用的不断发展，HBM作为一种快速增长的存储技术，预计其市场规模将从2023年的39亿美元增长至2027年的89亿美元。在这一领域，美光通过HBM3E的量产成功，进一步巩固了其在存储技术领域的领先地位。
　　
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