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瑞萨豪掷3.39亿美元收购Transphorm,押宝GaN技术

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导读:

“1月11日,瑞萨电子正式宣布与氮化镓(GaN)器件领导者Transphorm达成最终协议,收购价将达到3.39亿美元。”

  在科技领域的巨浪中,瑞萨电子以35%的溢价宣告了一项重磅收购。1月11日,瑞萨电子正式宣布与氮化镓(GaN)器件领导者Transphorm达成最终协议,按照协议的规定,瑞萨电子的子公司将以每股5.10美元的高价收购Transphorm,总估值达到了3.39亿美元。
  
  据悉,此次收购将赋予瑞萨电子自主GaN技术,进一步拓展其业务领域,将目光瞄准电动汽车、计算(数据中心、人工智能、基础设施)、可再生能源、工业电力转换等多个高速增长的市场。
  


  据悉,瑞萨电子利用Transphorm在GaN方面的专业知识可进一步扩展其WBG产品组合,GaN是一种新兴材料,可实现更高的开关频率、更低的功率损耗和更小的外形尺寸。这些优势使客户的系统具有更高的效率、更小、更轻的结构以及更低的总体成本。瑞萨电子将采用Transphorm的汽车级GaN技术来开发新的增强型电源解决方案,例如用于电动汽车的X-in-1动力总成解决方案,以及计算、能源、工业和消费应用。
  
  这次重大交易预计将于2024年下半年完成,具体完成的时间节点将取决于Transphorm股东的批准、监管许可的顺利获得以及其他一系列例行条件的达成。
  
  业界普遍认为,这一收购意味着瑞萨电子在技术创新和市场拓展上将迎来崭新的机遇,而GaN技术的整合也将使其在未来科技竞争的战局中占据更加有利的地位。
  
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