三星与SK正研发新技术解决AI模型能耗问题

　　随着生成式人工智能应用的发展，训练模型现阶段也大幅增加，这使得包括 HBM 和 DDR5 等存储器在高效能运算中所扮演的角色也日趋重要，但也使得存储器能耗问题也被凸显。因此，根据南韩媒体 Chosun Biz 的报导，南韩三星和 SK 海力士两大存储器制造商正在与学术界展开合作投资于下一代技术，以降低存储器的能耗，以提升高效能运算的效率。

　　根据统计，DRAM 目前占以英伟达 A100 GPU 为主的资料中心平台总耗能约 40%。未来，随着层数的增加，其 HBM 存储器的能耗也会持续增加。对此，南韩首尔大学推出了 DRAM Translation Layer 技术，声称可以将 DRAM 的功耗降低 31.6%，这也引来三星对此青睐。

　　目前，三星正在与首尔大学进行相关合作，以进一步降低存储器功耗。当前所采取的是 Compute Express Link 的技术，进一步开发了采用 12 纳米制程技术的 16GB DDR5 DRAM。而该型产品与上一代相较，能耗降低了 23%。

　　除了三星之外，南韩另一家存储器大厂 SK 海力士则是推出了 LPDDR5X，将 High-K 金属栅（HKMG）制程技术应用于行动 DRAM上。因为 High-K 材料的介电常数比传统 SiON 绝缘薄膜高约 5 倍，可以在相同面积和厚度下储存 5 倍的电荷，并帮助减少电流外泄。如此在控制外泄电流的基础上，SK 海力士的 LPDDR5X 不但在传输速度上提高了 33%，功耗也比上一代产品降低了 20% 以上。

　　根据市场人士的回应，指出随着AI智能训练模型对存储器厂商提出进一步的技术更新要求，各大厂商当下也纷纷展开彼此之间的竞争，如此预计将使得存储器成本获得一定幅度下降，这使得消费者也能从中获得利益。

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