韩媒：三星4纳米制程良率将与台积电持平，加速提升2纳米竞争本钱

　　南韩媒体报导，一名分析师表示，三星电子已提升4纳米芯片制程的良率，达到可与台积电相比拟的水准，增添赢回无晶圆厂芯片客户的可能性。

　　韩国经济日报报导，HI投资证券半导体分析师朴相昱（音译）在11日的研究报告指出，三星电子的4纳米芯片制程生产良率已提升到75%，更先进的3纳米制程良率则改善到60%。今年年初，半导体产业人士预估三星电子的4纳米制程良率约为50%。

　　如果3纳米和4纳米等先进制程技术良率超过60%，意味着使用这些制程的芯片生产达到稳定水准。朴相昱说，三星电子能提升制造良率的原因之一，也是芯片业景气趋缓，「随着整体半导体产业放缓，晶圆厂的产能利用率降低，三星投入更多测试晶圆于改善良率」。

　　他说，「三星10纳米以下的良率改善已放缓，致使三星不断延后推出产品，而良率是苹果、英伟达及高通等关键晶圆代工客户转向台积电的关键」，台积电和三星电子去年的资本支出差距因而拉大到3.4倍，产能差距也扩大到3.3倍，「在7纳米技术以下的制程节点，台积电去年的市占率接近90%，让三星更难赶上」。

　　朴相昱认为，现在三星电子在先进制程节点的晶圆代工良率已几乎和台积电持平，提高了赢回高通和英伟达等客户的机率，原因包括采用环绕闸极（GAA）电晶体架构的3~5纳米制程良率改善，以及芯片行业希望降低对台积电的依赖、增加供应来源。

　　其他分析师也表示，三星电子的3纳米制程良率改善后，在更先进2纳米制程与台积电相竞争的本钱也更雄厚。三星电子和台积电都已承诺要在2025年用2纳米制程量产先进芯片。

　　三星电子晶圆代工事业主管崔世英6月底表示，2025年将以2纳米制程量产行动芯片，2026年应用于超级电脑和电脑丛集的高效运算（HPC），2027年再应用于车用芯片，同时计划2027年前开始量产1.4纳米芯片。

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