三星宣称制程技术将在5年内超越台积电！

南韩三星电子半导体事业主管庆桂显5日表示，三星电子的芯片制程优势将在未来五年内超越全球晶圆代工龙头台积电，预期2纳米制程将领先台积电。

韩国经济日报报导，庆桂显说：「老实说，我们的晶圆代工技术落后台积电一到两年，但一旦台积电加入我们的2纳米科技竞赛，三星将领先」，「我们能在未来五年内超越台积电」

三星电子去年率先全球把环绕闸极电晶体（GAA）架构用于3纳米制程节点，声称3纳米GAA技术能比上一代制程节点提高效能30%、减少耗能50%、缩减芯片面积45%，早先表示目标是明年起根据GAA架构量产2纳米芯片。

台积电和其他晶圆代工厂则采用鳍式场效电晶体（FinFET）技术，据传台积电计划2纳米制程也将采用GAA技术。

庆桂显表示，三星电子的4纳米技术落后台积电两年，3纳米制程落后一年左右，但在台积电进入2纳米制程后，事态将完全改变，「我们的客户较偏好我们的GAA技术，几乎所有大客户都在跟我们合作，但我不能透露客户名称，三星的晶圆代工客户群正在扩增」。

他说，三星电子也正试图推进其芯片封装技术，以保持领先对手的地位，「随着半导体制程细微化变得更加困难，效能最终将透过封装改善」。三星电子去年设立先进封装团队，庆桂显说，三星电子预期未来三到四年内将有大幅进展。

他说，存储器芯片在人工智能（AI）服务器的重要性，近期将超越英伟达（Nvidia）的绘图处理器，「我们将在2028年之前出现以存储器半导体为核心的超级电脑，成为可能」。

针对美国当局紧缩芯片制造商在中国大陆的运营规范，庆桂显说，三星电子能挺过相关冲击，「虽然我们的中国西安厂投资需要批准，但我认为不会对我们的整体事业造成任何重大压力」，「我们将极力化危机为转机」。

*免责声明：文章来源于网络，如有争议，请联系客服。