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    百能云芯(元器件)首页 > 晶体管 > IGBT单管

    IGBT单管采购简介

    ### IGBT单管 **基本功能：** 绝缘栅双极晶体管（IGBT）单管是一种电力电子设备中使用的高效能半导体器件，它结合了MOSFET的高输入阻抗和双极型晶体管（BJT）的低导通压降优点。IGBT的基本功能是作为高效的电子开关，用于控制和调节电流和电压，特别是在高电压和高电流的应用中。IGBT能够在全控模式下工作，这意味着它可以通过门极信号完全打开和关闭。 **物理特性：** IGBT单管由多层半导体材料构成，包括N型和P型硅层，以及一个氧化层作为绝缘栅。这种结构使得IGBT具有较高的电压耐受能力和较低的导通损耗。IGBT单管的物理尺寸可以从小型表面贴装元件到大型模块化组件，具体取决于其额定功率和电流容量。 **电气特性：** 电气特性包括阈值电压（门极电压，使得IGBT开始导电的最小电压）、最大漏极电流、集电极-发射极击穿电压、导通电阻和开关速度。IGBT的阈值电压较低，允许在较低的门极电压下工作，而集电极-发射极击穿电压较高，适用于高电压应用。 **技术规格：** 技术规格涵盖了阈值电压、最大漏极电流、集电极-发射极击穿电压、最大功耗和工作温度范围。例如，一个IGBT单管可能被规格化为在15V的阈值电压下工作，最大漏极电流为20A，集电极-发射极击穿电压为600V。 **应用领域：** IGBT单管广泛应用于电动汽车、工业电机驱动、太阳能逆变器、电力传输和高频开关电源。它们在需要高效率、高频率和高可靠性的电力电子领域中尤为重要。 **封装类型：** IGBT单管可以采用多种封装类型，包括TO-247、DPAK、SMD等。封装选择取决于应用的空间限制、散热要求和电气性能需求。 **制造工艺：** 制造工艺涉及半导体材料的制备、PN结的形成、绝缘栅的沉积、金属化和封装。制造过程包括光刻、扩散、离子注入、化学气相沉积（CVD）和封装，以确保器件的电气连接和机械保护。 **可靠性与寿命：** IGBT单管的可靠性和寿命通常很高，尤其是在适当的工作条件下。它们的寿命受多种因素影响，包括工作温度、电压应力和电流应力。高质量的材料和严格的制造控制可以确保IGBT单管在极端条件下长期稳定工作。通常，IGBT单管的预期寿命可以达到数万小时，具体取决于其使用环境和负载条件。 IGBT单管以其卓越的性能和可靠性，在现代电力电子系统中扮演着越来越重要的角色。通过提

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    • FF200R12KT4HOSA1_IGBT单管
      数据手册
      FF200R12KT4HOSA1

      品牌： Infineon(英飞凌)/Cypress

      分类： IGBT单管

      封装： 模块

      库存： 20

      标准包： 1

      增量： 1

      批次： 2346+

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    • FP75R12KT4B15BOSA1_IGBT单管
      数据手册
      FP75R12KT4B15BOSA1

      品牌： Infineon(英飞凌)/Cypress

      分类： IGBT单管

      封装： 模块

      库存： 20

      标准包： 1

      增量： 1

      批次： 2235+

      1+

      $140.3337

      ¥1015.132

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      $136.2935

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      1+ ¥1015.132 ¥1068.56
      10+ ¥985.9064 ¥1037.7962
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    • FP75R12KT4B15BOSA1_IGBT单管
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      FP75R12KT4B15BOSA1

      品牌： Infineon(英飞凌)/Cypress

      分类： IGBT单管

      封装： 模块

      库存： 20

      标准包： 1

      增量： 1

      批次： 2235+

      1+

      $140.3337

      ¥1015.132

      10+

      $136.2935

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      1+ ¥1015.132 ¥1068.56
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    • FF200R12KE3HOSA1_IGBT单管
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      FF200R12KE3HOSA1

      品牌： Infineon(英飞凌)/Cypress

      分类： IGBT单管

      封装： 模块

      库存： 20

      标准包： 1

      增量： 1

      批次： 2613+

      1+

      $157.79

      ¥1141.4052

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      1+ ¥1141.4052 ¥1201.4792
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    • FF200R12KE3HOSA1_IGBT单管
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      FF200R12KE3HOSA1

      品牌： Infineon(英飞凌)/Cypress

      分类： IGBT单管

      封装： 模块

      库存： 20

      标准包： 1

      增量： 1

      批次： 2616+

      1+

      $157.8605

      ¥1141.9153

      10+

      $151.4745

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      1+ ¥1141.9153 ¥1202.0161
      10+ ¥1095.7211 ¥1153.3906
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      FF300R12KE4HOSA1

      品牌： Infineon(英飞凌)/Cypress

      分类： IGBT单管

      封装： 模块

      库存： 20

      标准包： 1

      增量： 1

      批次： 2411+

      1+

      $190.7517

      ¥1379.8402

      10+

      $157.0314

      ¥1135.918

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      1+ ¥1379.8402 ¥1452.4634
      10+ ¥1135.918 ¥1195.7032
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      FF300R12KE4HOSA1

      品牌： Infineon(英飞凌)/Cypress

      分类： IGBT单管

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      标准包： 1

      增量： 1

      批次： 2411+

      1+

      $190.7517

      ¥1379.8402

      10+

      $157.0314

      ¥1135.918

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      1+ ¥1379.8402 ¥1452.4634
      10+ ¥1135.918 ¥1195.7032
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      2+

      --

      ¥803.7551

      3+

      --

      ¥795.8214

      4+

      --

      ¥779.905

      5+

      --

      ¥764.3032

      大陆: 9-12工作日
      - +

      合计：¥1607.5102

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    • FP75R12KT4BOSA1_IGBT单管
      数据手册
      FP75R12KT4BOSA1

      品牌： Infineon(英飞凌)/Cypress

      分类： IGBT单管

      封装： 模块

      库存： 20

      标准包： 1

      增量： 1

      1+

      --

      ¥828.6276

      2+

      --

      ¥803.7551

      3+

      --

      ¥795.8214

      4+

      --

      ¥779.905

      5+

      --

      ¥764.3032

      大陆: 9-12工作日
      - +

      合计：¥828.6276

      起订量：1

      倍数：1

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    • NXH200B100H4F2SG_IGBT单管
      数据手册
      NXH200B100H4F2SG

      品牌： onsemi(安森美)/Fairchild

      分类： IGBT单管

      封装： 36-PIM（56.7x48）

      库存： 20

      标准包： 20

      增量： 20

      批次： 2215+

      20+

      $172.6035

      ¥1248.5619

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      阶梯 折后价(含税） 原价
      20+ ¥1248.5619 ¥1314.2757
      大陆: 9-12工作日
      香港: 6-9工作日
      - +

      合计：¥24971.238

      起订量：20

      倍数：20

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