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    百能云芯(元器件)首页 > 非易失性存储器NVM > 铁电存储器(FRAM)

    铁电存储器(FRAM)采购简介

    铁电存储器（FRAM）是一种非易失性存储技术，它结合了RAM的快速读写能力和ROM的非易失性特点。以下是FRAM的一些关键特性和信息： ### 工作原理 FRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储。当一个电场被加到铁电晶体时，中心原子顺着电场的方向在晶体里移动，并通过一个能量壁垒，引起电荷击穿。内部电路感应到电荷击穿并设置存储器。移去电场后，中心原子保持不动，存储器的状态也得以保存。因此，FRAM能够在没有外加电场的情况下保持两种稳定状态，对应于“0”和“1”。 ### 应用 FRAM的典型应用包括影印机、打印机、工业控制、机顶盒(Set-Top-Box)、网络设备（网络调制解调器）和大型家用电器。它也可以作为非易失性缓冲，快速存储数据，在数据传递储存在其他存储器之前。此外，FRAM还可以整合到一个器件中，提供ROM、RAM和EEPROM的功能，节省功耗、成本和空间，同时增加系统的可靠性。 ### 特点 - **非易失性**：FRAM在断电后能立即保存数据，不需要定时刷新，且数据可以保持10年以上。 - **高速读写**：FRAM的读写速度比一般串口EEPROM器件快超过10,000倍。 - **耐用性**：FRAM的写入次数超过100万亿次，远超过浮栅存储器。 - **低功耗**：FRAM的写入功耗仅为EEPROM的1/20，消耗的能量比NOR闪存低3000倍。 - **抗辐射性**：FRAM不受辐射引起的软错误的影响而产生位翻转。 ### 存储单元结构 FRAM存储单元结构利用PZT (锆钛酸铅) 作为铁电材料。PZT的结晶结构中，锆或钛正离子在晶格中占据两个稳定位置，并且可以通过施加外部电场在两个位置之间移动。 综上所述，FRAM以其快速的读写速度、高耐用性、低功耗和抗辐射性等特点，在多种应用中提供了一种高效的非易失性存储解决方案。

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