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siud402ed-t1-ge3

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  • 库存:9990
  • 起订量:1
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  • 最小包装量:1
  • 批次:25+

商品siud402ed-t1-ge3规格参数

商品型号 :

siud402ed-t1-ge3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

25+

包装 :

--

库存 :

9990

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT); 定制卷带

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

1A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

1.5V,4.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

730 毫欧@200mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

900mV@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

1.2 nC@8 V

Vgs(最大值)

±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

16pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

1.25W(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PowerPAK® 0806

封装/外壳

PowerPAK® 0806

基本产品编号

SIUD402

REACH 状态

未明确供应商

ECCN

EAR99

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