TPC8036-H-VB

• 库存：50
• 起订量：5
• 倍数：1

• 品牌：

  VBsemi(微碧半导体)

• 分类：

  场效应管(MOSFET)

• 封装：

  SOP-8

• 描述：

  台积电流片，长电封测。 该产品为单体N型MOSFET，具有以下特性： - 最大漏极电压（VDS）为30V，适用于中等功率应用。 - 最大门源电压（VGS）为±20V，兼容多种驱动电路。 - 阈值电压（Vth）为1.7V，具有良好的开关特性。 - 在VGS=4.5V时，导通电阻为5m?；在VGS=10V时，导通电阻为4m?，具有低导通电阻和低开关损耗。 - 最大漏极电流（ID）为18A，可满足多种应用场景的电流需求。 - 采用Trench工艺，具有优异的热特性和可靠性。 - 封装为SOP8，便于PCB布局和

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• 最小包装量：4000
• 批次：2413+