AMM12S18LB1ZXKMA1

商品型号 :

AMM12S18LB1ZXKMA1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

11

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

管件

库存 :

95

系列

CIPOS™

包装

管件

技术

碳化硅(SiC)

配置

6 N 沟道(三相逆变器)

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

1200V(1.2kV)

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

85A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

26.4 毫欧@37.4A,18V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

5.1V@11.8mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

83nC@18V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

2704pF@800V

功率 - 最大值

312W

工作温度

-40℃~175℃

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

通孔

封装/外壳

32-PowerDIP 模块(1.264",32.10mm)

供应商器件封装

DIP 44x28DA

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99