MSC060SMB120SDT/RM

商品型号 :

MSC060SMB120SDT/RM

类目 :

其它

品牌 :

MICROCHIP/ATMEL

最小包装量 :

100

起订量 :

100

批次 :

--

包装 :

卷带（TR）

库存 :

164

系列

mSiC™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

1200V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

38A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

15V,18V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

80 毫欧@8A,18V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

5V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

45 nC@18 V

Vgs(最大值)

+21V,-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1143pF@1000 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

192W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-263-7

封装/外壳

TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA

ECCN

EAR99