IXTH2N170D2

商品型号 :

IXTH2N170D2

类目 :

其它

品牌 :

Littelfuse/IXYS

最小包装量 :

30

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

管件

库存 :

157

系列

Depletion

包装

管件

FET 类型

N 沟道,耗尽型

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

1700V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

2A(Tj)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

0V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

6.5 欧姆@1A,0V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

--

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

110 nC@5 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

3650pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

568W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-247(IXTH)

封装/外壳

TO-247-3

基本产品编号

IXTH2

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99