IQDH29NE2LM5CGSCATMA1

商品型号 :

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

5000

起订量 :

1

批次 :

2543+

包装 :

--

库存 :

277

系列

OptiMOS™ 5

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

25V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

75A(Ta),789A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

0.29 毫欧@50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2V@1.448mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

110 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

17000pF@12 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

2.5W(Ta),278W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-WHTFN-9-U02

封装/外壳

9-PowerWDFN

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99