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GS66504BMRXUSA1
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货期：
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品牌：
-
分类：
-
描述：
GS66504BMRXUSA1
- 最小包装量：1
- 批次：2401+
GS66504BMRXUSA1其他库存
商品GS66504BMRXUSA1规格参数
商品型号 :
GS66504BMRXUSA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
39
批次 :
2401+
包装 :
--
库存 :
5590
系列
--
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss)
650V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
130 毫欧@4.5A,6V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.3V@3.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3 nC@6 V
Vgs(最大值)
+7V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
130pF@400 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
--
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
--
封装/外壳
3-SMD,无引线
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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