SIZF5300DT-T1-UE3

商品型号 :

SIZF5300DT-T1-UE3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

1

起订量 :

5

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

50

系列

TrenchFET®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 N 沟道,共源

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

35A(Ta),125A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

2.43 毫欧@10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

32nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1480pF@15V

功率 - 最大值

4.5W(Ta),56.8W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

12-PowerPair™

供应商器件封装

PowerPAIR® 3 x 3FS

ECCN

EAR99